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순방향 바이어스 전압(𝑽_𝑩𝑩)를 인가하면 n형 반도체의 전자와 p형 반도체의 정공들은 주위의 이온들과 재결합하게 되어 공핍영역의 폭이 줄어든다.
공핍영역이 감소로 다수 케리어(전자)가 접합부를 가로질러 이동하게 된다.
순방향 바이어스 전압이 증가함에 따라 공핍영역은 더욱 감소하고 수 많은 전자들이 접합부를 통과하여 전류가 지수함수적으로 증가 한다.
장벽전위: 실리콘 반도체: 0.7V, 게르마늄 반도체: 0.3V
순방향 교류 저항
다이오드는 순방향 전압의 증가에 비례하여 순방향 전류 증가하지 않는 비선형 소자이므로 순방향 영역에서 다이오드의 내부 저항이 다르다.
순방향 V-I 특성곡선을 따라 내부저항이 변하기 때문에 순방향 교류저항(동 저항)이라 한다.
V-I 특성곡선의 무릎전압(0.7V)이전에서는 전압변화에 대한 전류 변화가 작아 저항이 큼
무릎전압 주위에서 전압변화에 대한 전류 변화가 크게 증가 하므로 저항이 매우 작다.
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